O transistor é um dispositivo eletrônico semicondutor utilizado para fornecer um sinal de saída em resposta a um sinal de entrada. Desempenha funções de amplificador, oscilador, comutador ou retificador. O termo “transistor” é a contração em inglês de transfer resistor (“resistor de transferência”).
Atualmente se encontra em quase todos os aparelhos eletrônicos de uso diário, tais como rádios, tvs, reprodutores de áudio e vídeo, relógios de quartzo, pcs, lâmpadas fluorescentes, tomógrafos, telefones smartphones, se bem que quase a toda a hora dentro dos chamados circuitos integrados. Mas, Lilienfeld não publicou nenhum postagem de investigação sobre isso seus dispositivos ou suas patentes indicar algum modelo específico de um protótipo de trabalho. O líder do Grupo de Física do Estado Sólido, William Shockley viu o potencial desse feito e, nos meses seguintes, trabalhou para aumentar em amplo quantidade a compreensão dos semicondutores.
O termo “transistor” foi sugerido pelo engenheiro norte-americano John R. Pierce, com base em dispositivos semicondutores de imediato famosos, portanto, como o termistor e o varistor, e com apoio pela propriedade de transrresistencia que mostrava o dispositivo. De acordo com uma biografia de John Bardeen, Shockley havia apresentado que a primeira patente para um transistor nos Laboratórios Bell deveria estar fundado no efeito de campo e que ele fora nomeado como o inventor. Tendo redescoberto as patentes de Lilienfeld que ficaram no esquecimento anos atrás, os advogados dos Laboratórios Bell desaconsejaron a proposta de Shockley em razão de a idéia de um transistor de efeito de campo, não era nova.
Em reconhecimento a este promoção, Shockley, Bardeen e Brattain foram premiados em conjunto com o Prêmio Nobel de Física de 1956 “, por suas pesquisas a respeito de semicondutores e sua descoberta do efeito transistor”. Em 1948, o transistor de contato foi inventado independentemente pelos físicos alemães Herbert Matarei e Heinrich Welker, durante o tempo que trabalhavam pela Compagnie des Freins et Signaux, uma subsidiária francesa da americana Westinghouse. Matarei tinha experiência prévia no desenvolvimento de retificadores de cristal de silício e de germânio, durante o tempo que trabalhava com Welker no desenvolvimento de um radar alemão no decorrer da Segunda Guerra Mundial. Usando este conhecimento, ele começou a investigar o fenômeno da “interferência” que havia constatado em retificadores de germânio durante a briga.
Meses antes, em 9 de maio do mesmo ano, o engenheiro Sidney Darlington solicitou a patente do arranjo de dois transistores hoje em dia conhecido como transistor Darlington. O primeiro receptor de rádio para veículo que foi produzido em 1955 na Chrysler e Philco; usou esses transistores em seus circuitos e bem como foram os primeiros adequados para computadores de alta velocidade desta data. O primeiro transistor de silício operacional foi criado nos Laboratórios Bell, em janeiro de 1954, pelo químico Morris Tanenbaum.
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em 20 de junho de 1955, Tanenbaum e Calvin Fuller, solicitaram uma patente pra um método inventado por ambos pra geração de dispositivos semicondutores. O primeiro transistor de silício comercial foi produzido pela Texas Instruments, em 1954, graças ao serviço do perito Gordon Teal, que havia trabalhado antecipadamente nos Laboratórios Bell e o desenvolvimento de cristais de alta pureza.
também Denominado como “transistor de ponto de contato”, foi o primeiro transistor apto de comprar ganho, inventado em 1947 por John Bardeen e Walter Brattain. Consiste de uma apoio de germânio, semicondutor para, por isso, melhor famoso que a combinação de cobre e óxido de cobre, a respeito da qual se apoiam, muito juntas, duas pontas metálicas que constituem o emissor e o coletor. A corrente de apoio é apto de modular a resistência que se “vê” no coletor, daí o nome de transfer resistor.
baseia-Se em efeitos de superfície, insuficiente famosos no teu dia. É dificultoso de fazer (as pontas são conformes com a mão), sensível (um golpe podia mover as pontas) e barulhento. Não obstante, conviveu com o transistor de união devido à sua superior largura de banda. Atualmente de imediato acabado. O aparelho que representa o jeito semicondutor depende dessas contaminações, da geometria associada e do tipo de tecnologia de poluição (difusão gasosa, epitaxial, etc.) e do posicionamento quântico da união.